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貿澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協議,提供工業級存儲產品
2022年6月6日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Innodisk簽訂新的分銷協議。Innodisk(宜鼎國際)是工業級嵌入式閃存與DRAM存儲產品和技術的知名供應商,專注于企事業單位以及工業、醫療與航空航天等行業。
2022-06-06
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Xilinx FPGA DDR3設計(一)DDR3基礎掃盲
DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動態隨機存儲器。雙倍速率(double-data-rate),是指時鐘的上升沿和下降沿都發生數據傳輸;同步,是指DDR3數據的讀取寫入是按時鐘同步的;動態,是指DDR3中的數據掉電無法保存,且需要周期性的刷新,才能保持數據;隨機,是指可以隨機操作任一地址的數據。
2022-05-12
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SRII推出兩款ALD新品,滿足泛半導體應用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積(ALD)工藝被認為是邏輯和存儲半導體器件微縮化的重要推動力。過去20年,ALD工藝及設備已經廣泛應用于邏輯和存儲器件的大批量制造,不斷推動諸如動態隨機存取存儲器(DRAM)、先進的鰭式場效應晶體管(FinFET)以及柵極環繞晶體管等器件性能的改進與創新。隨著摩爾定律放緩,ALD工藝逐漸滲透到更多應用領域,如超摩爾(More-than-Moore,MtM)器件的生產中,正在推動新的架構、材料和性能的改進。
2022-01-26
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微結構不均勻性(負載效應)及其對器件性能的影響:對先進DRAM工藝中有源區形狀扭曲的研究
在DRAM結構中,電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進的DRAM,晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
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美光率先于業界推出 1α DRAM 制程技術
2021年 1 月 27 日,中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節點的 DRAM 產品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產品后,美光實現的又一突破性里程碑,進一步加強了公司在業界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯想、聯寶科技成立聯合實驗室,加速開發下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日,中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU) 今日宣布攜手聯想及聯寶科技 (聯想旗下最大的制造和研發機構) 成立聯合實驗室。該實驗室是內存和存儲業界首家同時聯合原始設計制造商 (ODM) 及原始設備制造商 (OEM) 的聯合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創新技術 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯想產品設計中的應用,從而更好地滿足用戶的核心工作負載需求。
2021-01-27
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淺談存儲器芯片封裝技術的挑戰
存儲器想必大家已經非常熟悉了,大到物聯網服務器終端,小到我們日常應用的手機、電腦等電子設備,都離不開它。作為計算機的“記憶”裝置,其主要功能是存放程序和數據。一般來說,存儲器可分為兩類:易失性存儲器和非易失性存儲器。其中,“易失性存儲器”是指斷電以后,內存信息流失的存儲器,例如DRAM(動態隨機存取存儲器),包括電腦中的內存條。
2020-12-10
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快速的DDR4 SDRAM開創宇航新時代
為了發掘宇航市場的潛力,衛星運營商正通過提供增值服務,如超高分辨率成像、流媒體視頻直播和星上人工智能,提升星上處理的能力以減少下行鏈路的需求。從2019年到2024年,高吞吐量載荷的市場需求預計增長12倍,帶寬增加至26500 Gbps。
2020-11-13
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AntMicro開源DRAM控制器添加對RPC DRAM的支持
物聯網是從半導體技術的小型化中受益匪淺的領域之一,因為更多的計算能力可以被封裝到越來越小的設備中。由于體積縮小、功耗降低,各種設備(包括支持人工智能的設備)的應用方式在幾年前是不可能實現的。這一領域最令人興奮的發展之一是RPC(reduced pin count)DRAM的出現,這是一種小尺寸的存儲器,Antmicro已經開發了對開源內存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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【科普小課堂】工業級VS消費級,一文讀懂存儲小秘密
面對眾多類型的高性能存儲產品時,你是否曾有過“選擇困難”?遇到DRAM、存儲卡和固態硬盤時,你是否也曾傻傻分不清楚?沒關系,以后你不必再為此苦惱。
2020-07-13
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
從20nm技術節點開始,漏電流一直都是動態隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常,DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。
2020-04-08
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DRAMless并非永遠代表低預算
閃存控制器的設計要么具有外部 DRAM(動態隨機存取內存)接口,要么就沒有具備。一旦部署在其應用程序中,像是SSD和其他閃存設備(如USB磁盤驅動器)中,具有DRAM的設備通??梢蕴峁┹^高的性能。這通常是隨機性能。
2020-02-13
- 貿澤電子榮獲第十一屆中國財經峰會“2022(行業)影響力品牌”獎
- 安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠
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