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貿澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協議，提供工業級存儲產品
2022年6月6日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Innodisk簽訂新的分銷協議。Innodisk（宜鼎國際）是工業級嵌入式閃存與DRAM存儲產品和技術的知名供應商，專注于企事業單位以及工業、醫療與航空航天等行業。
2022-06-06
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Xilinx FPGA DDR3設計（一）DDR3基礎掃盲
DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態隨機存儲器。雙倍速率（double-data-rate），是指時鐘的上升沿和下降沿都發生數據傳輸；同步，是指DDR3數據的讀取寫入是按時鐘同步的；動態，是指DDR3中的數據掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持數據；隨機，是指可以隨機操作任一地址的數據。
2022-05-12
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SRII推出兩款ALD新品，滿足泛半導體應用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設備已經廣泛應用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應晶體管（FinFET）以及柵極環繞晶體管等器件性能的改進與創新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應用領域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產中，正在推動新的架構、材料和性能的改進。
2022-01-26
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微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區形狀扭曲的研究
在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
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美光率先于業界推出 1α DRAM 制程技術
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節點的 DRAM 產品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產品后，美光實現的又一突破性里程碑，進一步加強了公司在業界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯想、聯寶科技成立聯合實驗室，加速開發下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯想及聯寶科技 (聯想旗下最大的制造和研發機構) 成立聯合實驗室。該實驗室是內存和存儲業界首家同時聯合原始設計制造商 (ODM) 及原始設備制造商 (OEM) 的聯合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創新技術 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯想產品設計中的應用，從而更好地滿足用戶的核心工作負載需求。
2021-01-27
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淺談存儲器芯片封裝技術的挑戰
存儲器想必大家已經非常熟悉了，大到物聯網服務器終端，小到我們日常應用的手機、電腦等電子設備，都離不開它。作為計算機的“記憶”裝置，其主要功能是存放程序和數據。一般來說，存儲器可分為兩類：易失性存儲器和非易失性存儲器。其中，“易失性存儲器”是指斷電以后，內存信息流失的存儲器，例如DRAM（動態隨機存取存儲器），包括電腦中的內存條。
2020-12-10
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快速的DDR4 SDRAM開創宇航新時代
為了發掘宇航市場的潛力，衛星運營商正通過提供增值服務，如超高分辨率成像、流媒體視頻直播和星上人工智能，提升星上處理的能力以減少下行鏈路的需求。從2019年到2024年，高吞吐量載荷的市場需求預計增長12倍，帶寬增加至26500 Gbps。
2020-11-13
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AntMicro開源DRAM控制器添加對RPC DRAM的支持
物聯網是從半導體技術的小型化中受益匪淺的領域之一，因為更多的計算能力可以被封裝到越來越小的設備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設備（包括支持人工智能的設備）的應用方式在幾年前是不可能實現的。這一領域最令人興奮的發展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現，這是一種小尺寸的存儲器，Antmicro已經開發了對開源內存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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【科普小課堂】工業級VS消費級，一文讀懂存儲小秘密
面對眾多類型的高性能存儲產品時，你是否曾有過“選擇困難”？遇到DRAM、存儲卡和固態硬盤時，你是否也曾傻傻分不清楚？沒關系，以后你不必再為此苦惱。
2020-07-13
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
從20nm技術節點開始，漏電流一直都是動態隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。
2020-04-08
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DRAMless并非永遠代表低預算
閃存控制器的設計要么具有外部 DRAM（動態隨機存取內存）接口，要么就沒有具備。一旦部署在其應用程序中，像是SSD和其他閃存設備（如USB磁盤驅動器）中，具有DRAM的設備通?？梢蕴峁┹^高的性能。這通常是隨機性能。
2020-02-13
- 貿澤電子榮獲第十一屆中國財經峰會“2022（行業）影響力品牌”獎
- 安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠
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